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Nexperia、100V MOSFETを発表、要求の厳しい自動車アプリケーション向けに超低オン抵抗を実現

作者: リリース時間: 2026-05-26 10:49:07 ビュー番号: 39

Nexperiaは、コンパクトなCCPAK1212(12 x 12 mm)銅クリップパッケージを採用した、AEC-Q101準拠の新型100 V MOSFETを発表しました。本デバイスは超低オン抵抗を実現し、オン抵抗(RDS(on))はわずか0.99mΩ、460A以上の安全な電流に対応します。製品はトップサイド冷却とボトムサイド冷却のパッケージを組み合わせて提供され、放熱要件が厳しい48V車載アプリケーション(車載充電器(OBC)、トラクションインバーター、バッテリーマネジメントシステム(BMS)など)に最適です。乗用車に加え、本新型MOSFETは、効率と放熱信頼性が重視されるその他のアプリケーション(二輪・三輪の電気自動車、DC-DCコンバーター、産業用大電流モジュールなど)にも適しています。

自動車メーカーは、効率向上、軽量化、およびさまざまな電気自動車プラットフォームの航続距離延長を目的として、急速に12 Vから48 Vのサブシステムへと移行しています。このような高電力アプリケーションでは、オン損失を最小限に抑えることが極めて重要です。従来、設計者は性能要件を満たすために複数のMOSFETを並列接続することが一般的でしたが、この方法では必要な部品点数が増加し、基板面積もより多く占有します。NexperiaのCCPAK1212 MOSFETは、超低RDS(on)と高電力密度を備えており、並列接続の必要性を低減し、コンパクトなサイズにより、従来のTOLLやTOLTパッケージを用いた並列接続方式と比較して、最大40%のPCBスペースを節約できます。

次世代の100 V対応AEC-Q101認証トレンチウェーハプロセスプラットフォームと、Nexperia独自のCCPAK1212銅クリップパッケージによる優れた放熱性能(Rth(jb) = 0.1 K/W)を組み合わせることで、超低RDS(on)を実現し、48 V車載システムに必要な重要な利点(高い電流容量、高電力密度、ならびに100 V時には最大400 Aの安全動作領域(SOA)定格に対応)を提供します。

設計の柔軟性を最大化するため、本デバイスはリバーストップサイド冷却(CCPAK1212i)とボトムサイド冷却(CCPAK1212)の2つのバージョンから選択可能で、エンジニアはシステム要件に応じてコンパクトなレイアウトを設計し、放熱管理を最適化できます。

Nexperiaについて

Nexperiaはオランダに本社を置き、欧州に豊かな歴史を持つグローバル半導体企業であり、現在欧州、アジア、米国に12,500名以上の従業員を擁しています。基礎半導体デバイスの開発と生産のリーダーとして、Nexperiaのデバイスは自動車、産業、モバイル、コンシューマーなど多岐にわたるアプリケーションで使用され、ほぼすべての商業電子設計の基本機能を支えています。

Nexperiaは世界中の顧客にサービスを提供し、年間1,100億個以上の製品を出荷しています。これらの製品は効率性(プロセス、サイズ、電力、性能など)において業界のベンチマークとなり、広く認知されています。Nexperiaは豊富なIPポートフォリオと継続的に拡大する製品範囲を有し、IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001の認証を取得しており、革新性、効率性、持続可能性、および業界の厳格な要件への対応に対する確固たるコミットメントを示しています。

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