Nexperia presenta MOSFET de 100 V, logrando pérdidas de conducción ultrabajas para aplicaciones automotrices exigentes.
Nexperia anuncia el lanzamiento de nuevos MOSFET de 100 V conformes con la norma AEC-Q101, en un encapsulado compacto CCPAK1212 (12 x 12 mm) con pinza de cobre. Estos dispositivos ofrecen pérdidas de conducción ultrabajas, con una resistencia de drenaje a fuente en conducción (RDS(on)) de solo 0,99 mΩ, lo que permite una corriente segura superior a 460 A. El producto incluye combinaciones de encapsulado con disipación térmica superior e inferior, ideal para aplicaciones automotrices de 48 V con exigentes requisitos de disipación térmica, como cargadores de a bordo (OBC), inversores de tracción y sistemas de gestión de baterías (BMS). Además de vehículos de pasajeros, los nuevos MOSFET también son adecuados para otras aplicaciones que priorizan la eficiencia y la fiabilidad térmica, incluyendo vehículos eléctricos de dos y tres ruedas, convertidores DC-DC y módulos industriales de alta corriente.

Los fabricantes de automóviles están migrando rápidamente de subsistemas de 12 V a 48 V para mejorar la eficiencia, reducir el peso y aumentar la autonomía de diversas plataformas de vehículos eléctricos. En estas aplicaciones de alta potencia, minimizar las pérdidas de conducción es crucial. Anteriormente, los diseñadores solían conectar varios MOSFET en paralelo para cumplir con los requisitos de rendimiento, pero esta práctica aumenta la cantidad de componentes necesarios y ocupa más espacio en la placa. Los MOSFET CCPAK1212 de Nexperia, con su RDS(on) ultrabaja y alta densidad de potencia, reducen la necesidad de dispositivos en paralelo y, gracias a su tamaño compacto, permiten ahorrar hasta un 40% de espacio en la PCB en comparación con las soluciones tradicionales en paralelo con encapsulados TOLL o TOLT.
La nueva plataforma de proceso de oblea con zanja de 100 V conforme a la certificación AEC-Q101, combinada con el excepcional rendimiento térmico del encapsulado patentado CCPAK1212 con pinza de cobre (Rth(jb) = 0,1 K/W), permite lograr una RDS(on) ultrabaja. Esto proporciona las ventajas clave necesarias para sistemas automotrices de 48 V, incluyendo alta capacidad de corriente, alta densidad de potencia y una clasificación de área de operación segura (SOA) de hasta 400 A a 100 V.
Para maximizar la flexibilidad de diseño, este dispositivo está disponible en versiones con disipación térmica superior inversa (CCPAK1212i) y con disipación térmica inferior (CCPAK1212), lo que permite a los ingenieros diseñar diseños compactos y optimizar la gestión térmica según las necesidades del sistema.
Acerca de Nexperia
Nexperia, con sede en los Países Bajos, es una empresa semiconductora global con una larga y rica historia en Europa, que cuenta actualmente con más de 12.500 empleados en Europa, Asia y Estados Unidos. Como líder en el desarrollo y producción de dispositivos semiconductores básicos, los productos de Nexperia se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, como automoción, industria, movilidad y consumo, y respaldan casi todas las funciones básicas de los diseños electrónicos comerciales del mundo.
Nexperia presta servicio a clientes globales, con un volumen de envío anual de más de 110 mil millones de productos. Estos productos son ampliamente reconocidos como referencias de la industria en cuanto a eficiencia (como proceso, tamaño, potencia y rendimiento). Nexperia cuenta con una amplia cartera de propiedad intelectual y una gama de productos en constante expansión, y está certificada según las normas IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 e ISO 45001, lo que refleja su firme compromiso con la innovación, la eficiencia, la sostenibilidad y el cumplimiento de los estrictos requisitos de la industria.